Samsung: Първият в света 3nm чип
На неотдавнашната конференция на IEEE ISSCC за международни твърдо-държавни вериги, 3nm чипове! Samsung се увеличи, а Samsung успешно запали битката с чиповете по целия свят. На конференцията Samsung стартира първия SRAM чип памет, произведен от процеса 3nm, изтласквайки полупроводниковия процес на нов етап отново. 3nm процес SRAM памет чип от Samsung има капацитет от 256GB и площ от само 56 квадратни милиметра. Производителността се подобрява с 30%, а консумацията на енергия се намалява с 50%. Очаква се то да бъде официално масово произведено през 2022 г. Samsung прие нова транзисторна технология на чипа на процеса 3nm, и използва gaa технология за решаване на серия от проблеми като генериране на топлина и прекомерна консумация на енергия, срещани преди това в процеса на 5nm. Технологията GAAFET е по-компактна в подреждането и може да побере повече транзистори, така че съответната област на чиповете ще бъде допълнително намалена, съчетана с по-прецизния си контрол на междуканалните токове, се очаква да постигне технологично лидерство.
Основана през 2003 г., Baiqiancheng се занимава с износа на PCBA дъски, фокусирайки се върху услугите на ODM, съвместното проектиране с клиентите, помагането на клиентите да избират модели и промяна на оформлението. Нашето съществено предимство е, че имаме професионален екип за обществени поръчки, и имаме висококачествени компоненти. Каналът за обществени поръчки за чипове може да помогне на клиентите да намерят материали с висока цена и високо качество, да спестят разходи за клиентите и да съкратят времето за доставка.
